据报道，三星计划在即将到来的2024年IEEE国际固态电路峰会上发布多款尖端内存产品。除了之前宣布的GDDR7内存，三星还将推出一款超高速的DDR5内存芯片。这款大容量的32Gb DDR5 DRAM采用12纳米级工艺技术开发，相比16Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下提供了两倍的容量。
尽管三星没有透露有关即将发布的DDR5芯片的详细信息，但我们了解到这款DDR5的I/O速度高达每个引脚8000Mbps，并且采用了三星第五代10纳米级晶圆代工节点的Symmetric-Mosaic架构设计，专门为DRAM产品量身定制。
三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang在2023年底首次宣布新DDR5产品时表示：“凭借我们的12纳米级32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达1TB的DRAM模块，使我们能够理想地满足人工智能（AI）和大数据时代对高容量DRAM的不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，突破内存技术的极限。”
相比之前使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB DRAM模块需要硅通孔（TSV）工艺，新的32Gb DRAM允许在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，三星表示这将使功耗降低约10%。对于当前正在应对数据中心不断增长的人工智能能源需求的挑战而言，这是一个备受欢迎的解决方案。
三星最新的DDR5技术允许在单通道配置下以DDR5-8000速度创建32GB和48GB DIMM，同时还支持双通道配置下的64GB和96GB DIMM。
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